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小链网:HBM5性能目标提升至HBM4E两倍

日期:2026-09-01 21:32:23 栏目:matlab 阅读:
小链网报道,9月1日,据ETNews,三星电子计划将下一代高带宽存储器(HBM)HBM5的性能提升至HBM4E的2倍,而后续一代产品zHBM的性能目标则达到HBM4E的8倍。三星将以3D结构创新为核心,争夺下一代存储器市场的主导权。针对大语言模型(LLM)所需的大容量存储器需求,三星还在推进zNAND-O的开发。zNAND-O的目标是在比特密度达到DRAM 10倍的同时,将读取带宽和能效分别提升至NAND的7倍。三星计划于2028年开始zNAND-O的样品供应。

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